MUR20020CT
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MUR20020CT |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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80+ | $101.6625 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25 µA @ 50 V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 100A |
Grundproduktnummer | MUR20020 |
MUR20020CT Einzelheiten PDF [English] | MUR20020CT PDF - EN.pdf |
MUR20100 ON
DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER
Interface
DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER
IGBT Modules
DIODE GEN PURP 900V 1A DO204AC
DIODE GEN PURP 900V 1A DO204AC
IGBT Modules
IGBT Modules
DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER
IGBT Modules
DIODE GEN PURP 900V 1A DO204AC
DIODE GEN PURP 900V 1A DO204AC
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER
IGBT Modules
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MUR20020CTGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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